RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2488
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link