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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

总分
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

总分
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 40
    左右 -14% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.1 left arrow 13.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 8.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    13.6 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    8.3 left arrow 9.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2035 left arrow 2488

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM的比较

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