RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
40
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.3
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
2488
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link