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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

総合得点
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

総合得点
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 40
    周辺 -14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 13.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 8.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    13.6 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2035 left arrow 2488

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