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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
40
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
9.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
2488
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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