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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
54
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
27
读取速度,GB/s
9.4
18.3
写入速度,GB/s
6.7
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1929
3615
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
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