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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
71
左右 63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
71
读取速度,GB/s
12.6
9.1
写入速度,GB/s
9.5
6.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
1484
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
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