RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3142
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link