RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
73
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3142
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link