RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
73
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
21.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3788
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link