RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
3110
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link