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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Confronto
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
26
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
22
Velocità di lettura, GB/s
11.9
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1610
3110
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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