RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
73
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3587
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link