RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
73
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3587
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link