RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
73
Wokół strony -248% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3255
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link