RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
62
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2148
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link