Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Puntuación global
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Puntuación global
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 14.2
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    38 left arrow 62
    En -63% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.3 left arrow 1,843.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 6400
    En 3.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    62 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,556.6 left arrow 14.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,843.6 left arrow 10.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    542 left arrow 2148
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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