RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
62
Autour de -63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2148
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link