RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
73
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2755
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link