RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3762
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link