RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3762
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link