RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
73
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3177
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link