RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
73
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2858
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link