RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
25
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
18
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3431
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link