RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2683
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link