Porównanie pamięci RAM Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Wynik ogólny

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

19 51

Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

19.5 10.2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.8 7.6

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 10600

Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2049 3435

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns