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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

総合得点
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 51
    周辺 -168% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.5 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 19.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.6 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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