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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
51
Rund um -168% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
15.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2049
3435
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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