Comparación de la memoria RAM Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Puntuación global

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

19 51

En -168% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

19.5 10.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.8 7.6

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 10600

En 1.81 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2049 3435

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns