RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
73
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2291
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link