RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
73
Por volta de -181% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
8.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2291
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link