RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
73
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
69
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
1831
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link