RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
73
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2579
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link