RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
73
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3027
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link