Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.2

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

39 73

Около -87% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.3 1,423.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 39
Скорость чтения, Гб/сек

3,510.5 15.2
Скорость записи, Гб/сек

1,423.3 13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

476 3027

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB

Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB

Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB

модули RAM