RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3072
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link