RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3072
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
INTENSO 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link