RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
73
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2971
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link