RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3157
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link