RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
73
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3206
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link