RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
73
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3206
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link