RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3663
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Jinyu 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link