RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3496
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link