RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
73
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3001
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link