RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
74
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2327
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link