RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
74
Rund um -111% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
2,201.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
8.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2327
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link