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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
74
En -111% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2327
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
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Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
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