RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
73
Wokół strony -204% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3482
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link