RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
73
Wokół strony -204% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3482
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link