RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
73
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3748
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link