RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
73
Wokół strony -204% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
4122
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link