RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
73
Около -204% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.8
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
4122
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link