RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3697
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link